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然而，古规划革提高电由于ITO的脆性和高成本，它不能被结合到新颖的柔性器件中。在该领域获得了一系列成果，售电成功合成世界上最细的铜米线（16nm）并实现功函数可调的深紫外透明电极应用，售电实现3D石墨烯包裹铜米线合成及全透明LED芯片制备，实现一锅法快速核壳合金Cu纳米线网络制备，发明选择性透明、保温隐私玻璃，成功制备超大面积二维单原子层h-BN薄膜（25inch）并首次实现p型电导掺杂，提出非对称超薄AlN/GaN超晶格人工结构并实现了深紫外发光的各向同性化调制。

稳步高纵横比的铜纳米线通过油胺（OLA）介导的溶液系统（以Ni离子为催化剂）合成的。就性能和成本而言，推进由于Cu含量丰富，成本低和高电导率而成为最有前途的TCE材料之一。采用激光扫描焊接法成功制备铜纳米线TCE的完整紫外线和蓝色LED芯片，侧改场化程度并实现了明亮的顶面发光。

参考文献:[1]ACSNano14,6761-6773(2020).[2]JournalofPhysicalChemistryLetters11,2559-2569(2020).[3]ScientificReports8,13721(2018).[4]ACSAppliedMaterialsInterfaces8,28709(2016).[5]ScientificReports6,34766(2016).[6]Nanoscale7,10613–10621(2015).[7]ScientificReports3,2323(2013).[8]LaserPhotonicsReviews7,572(2013).【图文导读】图1.铜纳米线的表征（a）铜纳米线的光学显微图像（b）铜纳米线的SEM图像（c）XRD图谱分别表示Cu（111），力交Cu（200）和Cu（220）在43.5°，力交50.6°和74.3°处的衍射峰单个CuNW的（d，e）TEM图像和CuNW选定区域的HRTEM图像，0.208-nm晶格参数对应于Cu（111）平面的距离（f）铜纳米线的晶体结构和刻面示意图（g）XRD图谱分别表明Cu（111），Cu（200）和Cu（220）在43.5°，50.6°和74.3°处的衍射峰图2.激光辐照表征（a）对铜纳米线进行激光辐照处理的完整过程的示意图（b-e）紫外激光束以0、4、8和12mJ/cm2的辐射能量扫描的铜纳米线的SEM图像（f）铜纳米线薄膜的吸光度与波长的关系（g）激光辐照前后的铜纳米线的AES光谱（h）激光辐照前后铜纳米线的FT-IR光谱图3.CuNW的热分布（a）带有接触结的交叉式铜纳米线的模型结构，用于有限元模拟（b）脉冲紫外激光的光谱，显示在248nm处的中心峰（c）计算得出的交叉铜纳米线相对于激光波长的热分布，范围为220至800nm（d）各种直径的交叉CuNW的热分布计算值（e）计算出不同距离的交叉CuNW的热分布图4.铜纳米线的应用表征（a）各种油墨浓度下的铜纳米线TE的透射率（b）不同浓度的铜纳米线TE的透射率与薄层电阻的关系（c）在室温下暴露于空气中30天的不同方法处理的铜纳米线的表面电阻与老化时间的关系（d）在85oC和RH=90％的条件下放置14天的各种CuNWs薄膜的表面电阻与老化时间的关系（e,f）在环境中暴露30天并在85oC和RH=90％的条件下暴露14天的激光焊接CuNW的XPS光谱图5.用于柔性显示（a）用于程序化激光扫描的运动控制站示意图（b）运动控制站的照片（c）在PET上大面积激光焊接柔性NWsTCE薄膜（d）警告信号模块，具有透明灵活的电路，通过编程的激光扫描焊接编写而成，并与电子元件结合在一起（e-f）粉色LED指示灯或绿色LED指示灯发出警告信号的操作状态图6.器件的制备与表征（a）具有铜NWsTCE的GaN基UVLED的完整结构示意图（b-d）UVLED芯片的制备过程示意图（e-f）通过图案化压印铜纳米线传统文化表现形式在板上制造的UVLED芯片的照片（g）激光焊接CuNWsTCE的UVLED的I-V曲线（h）在各种注入电流下，UVLED的EL光谱，在385nm处显示出尖锐的发射峰（i）带有激光焊接的铜NWsTCE和ITO的UVLED的光输出功率和EQE作为电流的函数进行比较【小结】金属纳米线（NWs）已显示出下一代透明导电（TC）材料的卓越进步。【引言】透明导电电极（TCE）在各种日常使用的电子设备（包括触摸屏，易市太阳能电池，发光二极管，加热膜等）中起着关键作用

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另一方面，稳步利用多元A位掺杂效应，通过引入碱金属离子制备出致密均匀的三元Cs/Rb/KPbBr3薄膜。全无机CsPbX3材料因其具有较高的光热稳定性，推进成为近年发光二极管中的热门材料。

侧改场化程度这些缺陷导致的稳定性问题阻碍了无机钙钛矿发光二极管的发展。力交(e)全无机异质结器件在运行前后的部分元素分布放大图。